- Sections
- H - électricité
- H10B - Dispositifs de mémoire électronique
- H10B 53/20 - Dispositifs RAM ferro-électrique [FeRAM] comprenant des condensateurs ferro-électriques de mémoire caractérisés par les agencements tridimensionnels, p ex. avec des cellules à des niveaux différents de hauteur
Détention brevets de la classe H10B 53/20
Brevets de cette classe: 64
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Micron Technology, Inc. | 24960 |
23 |
| Kepler Computing Inc. | 221 |
13 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 131630 |
7 |
| Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 10902 |
7 |
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 36809 |
4 |
| Huawei Technologies Co., Ltd. | 100781 |
3 |
| Kioxia Corporation | 9847 |
2 |
| Tokyo Electron Limited | 11599 |
1 |
| SK Hynix Inc. | 11030 |
1 |
| Korea Advanced Institute of Science and Technology | 3906 |
1 |
| Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences | 1290 |
1 |
| Sony Semiconductor Solutions Corporation | 8770 |
1 |
| Autres propriétaires | 0 |